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[원천기술개발사업 > 지능형반도체선도기술개발사업 > 차세대 지능형반도체기술개발사업]
  

추진목적

기존 반도체 기술 한계를 극복하는 초저전력고성능의 미래 반도체 신소자 핵심 원천기술 및 집적 기술 개발

추진전략 및 내용

  • (기본방향) 단순 논문중심연구 지양, 조기 상용화 및 원천 IP 확보

    경쟁R&D 방식 도입, 단계별 평가, 지속 지원대상 결정 웨이퍼레벨 집적검증 지원(관련 기술 개발 병행)

추진내용

   (사업기간) ?20년∼?29년(10년)
   (예산규모) 총 2,405억원 
   (주요내용)
  •                   - (신소자 원천기술)  기존 반도체 한계를 넘어서는 초저전력·고성능 신소자 개발
  •                   - (신소자 집적검증 기술) 조기상용화 가능한 신소자 개발 및 IP확보를 위한 신소자 집적/검증기술 개발
                  - (신개념 소자 기초기술) 신소재, 신공정, 새로운 원리 등 창의적·도전적 아이디어 기반의 혁신적 소자 기초기술 개발

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콘텐츠 관리

  • 담당부서
    반도체ㆍ디스플레이단
  • 담당자
    김정현A
  • 전화번호
    042-869-7865
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